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　　高频开关充电装置结合脉宽调制(PWM)技术的研究和应用，使开关电源迅速发展。目前，开关频率提高到25～500kH。左右，功率开关管器件已将纵向金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和其他新型器件等用于高频开关电源回路，进一步提高了开关频率及技术性能，使电源设备更小型化、轻量化。高频开关整流装置种类较多，其性能指标比以往的可控硅整流器和硅整流器等优越，详细比较见表6-4。

　　表6-4    高频开关整流装置和可控硅、硅整流器充电装置技术指标比较